上圖為聯電CEO王石。
雖然聯電法說會是在2024年7月31日舉行，但可以看一下目前非先進製程的情況，共同總經理王石表示，終端需求未強勁復甦，需求有進一步改善，看好整體稼動率將回升。
王石坦言，由於產能擴張帶來的折舊增加及電費提高，下半年恐面臨一些獲利壓力，儘管面臨成本挑戰，但有信心維持穩健獲利，透過差異化的技術解決方案與多元製造布局的策略，協助公司客戶強化供應鏈管理，財務長劉啟東補充，聯電今年折舊約增加 20%，2025 年還沒有明確數字，但預估增幅應與今年相近，會持續管控成本，並改善產能利用率，以抵銷成本增加帶來的影響。
備註：企業購買設備會導致需要提列成本，這部分稱為設備折舊，會影響損益表的獲利情況。
聯電今年資本支出維持 33 億美元，新加坡 12i P3 新廠預計 2026 年 1 月開始試產，2026年下半年導入量產，屆時將貢獻營收，王石說明公司有新加坡、中國大陸、日本與台灣的製造據點。
Q2財報部分：Q2稅後純益 137.86 億元，季增 31.8%，年減 11.9%，EPS 1.11 元，改寫同期第三高，累計上半年每股純益 1.95 元。
Q2營收 567.99 億元，季增 4%，年增 0.9%，毛利率 35.2%，季增 4.3 %，年減 0.8 %，營益率 24.5%，季增 3.1 %，年減 3.3 %，稅後純益 137.86 億元，季增 31.8%，年減 11.9%，每股稅後純益 1.11 元。
聯電上半年營收 1,114.31 億元，年增 0.8%，毛利率 33.1%，年減 2.6 ％，營益率 22.9%，年減 4.3 ％，稅後純益 242.42 億元，年減 23.8%，每股稅後純益 1.95 元。
消費性產品市場反彈，Q2晶圓出貨量較季增 2.6%，產能利用率提升至 68%，尤其在 Wi-Fi 無線網路和數位電視應用需求帶動，22/28 奈米晶圓營收占比持續上升，加上有利的匯率因素和產品組合改善，帶動Q2毛利率表現優於預期。
技術部分聯電有首創 RFSOI 製程技術的 3D IC 解決方案，以及領先市場的 22 奈米 eHV 顯示器驅動 IC 解決方案，RFSOI (Radio Frequency Silicon On Insulator)是一種專為無線應用設計的製程技術，使用SOI技術來提升射頻性能，SOI技術將矽層置於絕緣層上方，減少寄生電容和漏電流，提高性能和功耗，3D IC (三維積體電路)解決方案則是將多個晶片垂直堆疊並互相連接，實現高密度封裝，縮短訊號傳遞距離，提升運算速度和效率。
寄生電容 (Parasitic Capacitance)也稱為雜散電容是指在電路中不希望存在但不可避免的電容，這些電容通常出現在晶片內部的各種導線、電極、元件之間，或者晶片與封裝之間，寄生電容會導致信號傳輸延遲、功耗增加，可能引起不希望的電氣干擾，在高頻電路中，寄生電容的影響尤其明顯，因為它會對電路的工作頻率和信號完整性造成不利影響。
漏電流 (Leakage Current)是指在半導體器件中，電流在不希望的路徑上流動，通常發生在絕緣層或閘極氧化層不完美，或者在高電壓下擊穿時，漏電流會導致功耗增加，並可能導致器件的性能下降和穩定性問題，在微小製程技術（例如22奈米或更小）中，漏電流的控制變得更加重要，因為隨著晶體管尺寸的縮小，漏電流的影響變得更加顯著。
聯電與光寶科是權值股中上半年都衰退的公司，其中聯電雖然Q2營收雖然增加，但稅後純益仍然下跌11.9%，顯見2024年上半年仍受到景氣尚未反彈的影響。
法人估，聯電Q3出貨量估季增 4-6%，產能利用率達 7 成，平均售價 (ASP) 持平，毛利率維持 34-36%，相較於聯發科可能衰退，至少勉強維持，但還看不出明顯的反彈，毛利率部分Q2毛利率 35.2%，法人給出的預估也比較偏向毛利率的衰退。
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